第十一屆先進陶瓷研討會 (CICC-11) 將于 2019 年 5 月 25 日至 29 日在云南省昆明市召開。
CICC 先進陶瓷研討會是由中國硅酸鹽學會發(fā)起并主辦的一個系列性學術(shù)會議。至今，已成為亞洲具有相當影響力的大型學術(shù)會議。國內(nèi)從事特種陶瓷研究的相關高等院校及科研院所均有代表出席歷屆 CICC。
會議時間：2019 年 5 月 25 日 - 29 日
會議地點：云南 · 昆明 · 云安會都酒店
掃描電鏡表征陶瓷類樣品
功能摻雜陶瓷 陶瓷片斷面
圖1 陶瓷掃描電鏡圖片
掃描電鏡在陶瓷樣品中的研究主要為以下幾個方面的研究：
· 顯微結(jié)構(gòu)分析：晶體生長機理、臺階、位錯、缺陷等的研究；
· 成分非均勻性、殼芯結(jié)構(gòu)、包裹結(jié)構(gòu)的研究；
· 靜態(tài)或動態(tài)微觀裂紋或氣孔的研究；
· 加熱前后晶體合成、氣化、聚合反應等研究；
· 微區(qū)成分分析。
對于導電性差的陶瓷，為了避免荷電效應的影響，常規(guī)的方法包括：蒸鍍導電膜、降低入射電子束能量、拍照采用快掃模式、改善導電通路、減小樣品尺寸、低真空模式等。
在實際中使用較多一般是蒸鍍導電膜，包括蒸鍍金屬膜 Au、Pt、Ag、Cr 或碳膜。
噴金前 噴金后
圖2 陶瓷粉體
圖 2 顯示了同一樣品、同一參數(shù)噴金前后的圖像差異，可以看出飛納電鏡在不噴金條件下，陶瓷粉在 40000x 高倍下依然沒有明顯充電，表現(xiàn)相當不俗，噴金之后效果更進一步提升，邊緣更加銳利，細節(jié)更加突出。
降低荷電效應樣品杯
采用飛納電鏡降低荷電效應樣品杯之后，由于低真空下對樣品表面電子累積的有效緩解，可以不用噴金直接得到非常的圖片。
能譜分析
飛納電鏡能譜分析：點掃描
飛納電鏡能譜分析：線掃描
飛納電鏡能譜分析：面掃描
圖 3
除了基本的形貌觀察之外，掃描電鏡的一些選配件可以實現(xiàn)諸如能譜分析、EBSD、陰極熒光等其他角度的分析。其中常見的當屬電鏡能譜分析 (EDS)，在圖 3 中可以看到，通過掃描電鏡能譜分析，即直接選點、劃線、框面進行分析，數(shù)分鐘后即可得到結(jié)果。
在陶瓷樣品中，經(jīng)常需要研究摻雜相的分布，比如均勻混合還是只分布于晶界，此時通過圖片顯然不能確定，加上微區(qū)成分信息的數(shù)據(jù)，就可以一目了然。
想了解更多掃描電鏡在陶瓷樣品中的應用嗎？飛納電鏡在 CICC-11 等著你。
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